- 高精密晶体-

         基于数十年的相关工艺和知识方面的传承积累和创新，原创在设计和生产石英晶体谐振器方面经验丰富成熟。我们生产的晶体应用广泛，如OCXO特别是高精密OCXO,TCXO,温度传感器等等。
          晶体谐振器的关键部件和原材料是石英晶片。我们的石英晶片主要由我们在深圳的兄弟公司提供，这给我们生产各种高精密晶体谐振器提供了稳定而有力的支持和保证。
不同的晶体切型具有不同的特性。晶体切型由沿晶体轴的两个旋转角度phi角和theta角定义。常见的单（一次）旋转切型有AT切,AC切，Y切（尤其是AT切用的最多）。常见的双（两次）旋转切型有SC切、IT切，以及MSC、MIT切（下面我们表中DR是doubly rotated的缩写，表示双转角）。
        AT切型晶体由于切割工艺相对简单而价格低廉。其具有良好的频率温度特性和比较低的电容比C0/C1，而广泛应用于TCXO 和VCXO中。尤其是基频AT切晶体具有非常低的电容比C0/C1,能够满足VCXO宽的调频范围的要求。此外，AT切晶体的R一般比较小，激励电平小，因此也能应用于低功耗OCXO中。
        SC切晶片是双转角的，晶片加工工艺比AT切复杂，因而成本较高。尽管如此，相比AT切晶体，SC切晶体有许多优越的性能，而被广泛应用于高性能OCXO中。SC切晶体有许多优点，如瞬时热补偿，应力补偿，对激励电平的灵敏度较低（可以经受高激励电平），较高的电容比C0/C1（由振荡器电抗变化引起的△ƒ比较小）。SC切晶体的不利之处是B模，其频率比C模频率高约10%,B模电阻也通常比C模小。当客户应用SC切晶体时，通常要采取B模抑制电路来抑制B模。
        由于不同的频率温度曲线TP的要求和需要，MSC、IT、MIT切也广泛应用于OCXO中。
        除了切角，晶片的外形轮廓和曲率半径也影响晶体的频率温度曲线和电参数。晶片可以加工成平平片，平凸片，倒边片。对于比较厚的晶片通常要采取平凸片或者倒边片来防止或者降低边缘效应.开球面（通常是平凸片）可以使晶体谐振器的能量集中在中心区域。除了晶片的外形轮廓外，晶片的边比（晶片尺寸b/晶片厚度t）也影响边缘效应。通常b/t越大，边缘效应越弱。根据晶片厚度，我们采用不同的轮廓和尺寸。
        有许多种尺寸和结构的封装型号可供选择，以适应不同尺寸晶片的安装需求.晶体封装可分为玻璃装、冷压焊、电阻焊、焊料密封和SMD.原创目前主要采用冷压焊封装以及电阻焊封装。
        冷压焊封装：冷压焊模具在比较高的压力下把晶体壳座的突出边沿部分直接压封结合在一起（利用无氧铜金属的延展性）。冷压焊封装过程非常干净，且是在高真空下封装的，有利于晶体谐振器的老化.原创常用的冷压焊型号有HC-37U, HC-35U, HC-43U, HC-45U；此外HC-40U（与HC-37U外形类似，尺寸略大）也有少量应用。
        电阻焊封装：电阻焊模具在比较低的压力下把外壳和底座的边沿压在一起，壳座边沿接触处通过强大的电流而熔化结合在一起。